TK39N60X,S1F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 7-9 недель
2 000 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 000 руб.
Описание
МОП-транзистор DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 38.8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 270 W |
| Qg - заряд затвора | 85 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 55 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 35 ns |
| Время спада | 6 ns |
| Высота | 20.95 mm |
| Длина | 15.94 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | DTMOSIV-H |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | TK39N60X |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 155 ns |
| Типичное время задержки при включении | 60 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 5.02 mm |
Техническая документация
Datasheet TK39N60X.S1F
pdf, 246 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
