MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F, NAND Flash SLC 4G 512MX8 FBGA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 590 руб.
от 10 шт. —
1 340 руб.
от 100 шт. —
1 060 руб.
от 250 шт. —
983.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 590 руб.
Описание
• Single-level cell (SLC) technology, asynchronous I/O performance
• Array performance, read page is 45µs (typical)
• Command set is ONFI NAND flash protocol, read unique ID
• Operation status byte provides software method for detecting, operation completion
• First block (block address 00h) is valid when shipped from factory
• RESET (FFh) required as first command after power-on, quality and reliability
• Internal data move operations supported within the plane from which data is read
• 4Gb density, 8bit device width, SLC level
• 3.3V (2.7-3.6V) operating voltage, asynchronous interface
• 63-ball VFBGA (9 x 11 x1.0mm) package, automotive operating temperature range from -40°C to +105°C
Технические параметры
| IC Case / Package | VFBGA |
| Interfaces | Parallel |
| Memory Configuration | 512M x 8bit |
| Время Доступа | 16нс |
| Количество Выводов | 63вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | 3.3V SLC NAND Flash Memories |
| Максимальная Рабочая Температура | 105°C |
| Максимальная Тактовая Частота | 50МГц |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 2.7В |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Номинальное Напряжение Питания | 3.3В |
| Плотность Памяти | 4Гбит |
| Тип Flash Памяти | SLC NAND |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1352 КБ
