RN1701JE(TE85L,F)
9450 шт., срок 7-9 недель
150 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN - с предварительным смещением (двойной) (с эмиттерной связью) 50 В 100 мА 250 МГц 100 мВт ESV для поверхностного монтажа
Технические параметры
| Base Product Number | TLP532 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SOT-553 |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7kOhms |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Supplier Device Package | ESV |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250ВµA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 544 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
