RN1701JE(TE85L,F)

8940 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
81 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.60 руб.
от 100 шт.34 руб.
от 500 шт.22.42 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 162 руб.
Номенклатурный номер: 8006852281
Производитель: Toshiba

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN - с предварительным смещением (двойной) (с эмиттерной связью) 50 В 100 мА 250 МГц 100 мВт ESV для поверхностного монтажа

Технические параметры

Base Product Number TLP532 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 250MHz
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SOT-553
Power - Max 100mW
Resistor - Base (R1) 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7kOhms
RoHS Status RoHS Compliant
Supplier Device Package ESV
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 544 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах