TK290P65Y.RQ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
860 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 860 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
650V 11.5A 100W 290mOhm@10V,5.8A 4V@450uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
Технические параметры
Automotive | No |
Military | No |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | DPAK |
Id - непрерывный ток утечки | 11.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 100 W |
Qg - заряд затвора | 25 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 230 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 25 ns |
Время спада | 8.5 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | DTMOSV |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Серия | TK290P65Y |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 170 ns |
Типичное время задержки при включении | 65 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | DPAK-3 |
Техническая документация
Datasheet TK290P65Y,RQ
pdf, 451 КБ
Datasheet TK290P65Y.RQ
pdf, 452 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.