IRFBE20PBF-BE3, MOSFET 800V N-CH HEXFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 руб.
от 10 шт. —
350 руб.
от 100 шт. —
256 руб.
от 500 шт. —
202.38 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 450 руб.
Описание
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.8 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6500@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 54000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Typical Fall Time (ns) | 27 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 38(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 530@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 17 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 58 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 244 КБ
