SSM3K123TU
36 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 300 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.2A(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.6nC @ 4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 10V |
| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Leads |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW(Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 3A, 4V |
| Series | U-MOSIII |
| Supplier Device Package | UFM |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Вес, г | 0.0238 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
