BSZ120P03NS3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
от 10 шт. —
220 руб.
от 100 шт. —
145 руб.
от 500 шт. —
109.62 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
MOSFET, P-CH, -30V, -40A, PG-TSDSON-8, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-40A, Drain Source Voltage Vds:-30V, On Resistance Rds(on):0.009ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-2.5V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Mounting Type | SMD |
| Package Type | PG-TDSON-8 |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
Техническая документация
Datasheet BSZ120P03NS3GATMA1
pdf, 614 КБ
