R8008ANJFRGTL

Фото 1/2 R8008ANJFRGTL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1000 шт., срок 7-9 недель
1 530 руб.
от 10 шт.1 140 руб.
от 100 шт.832 руб.
от 500 шт.688.36 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 530 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8007522694
Бренд: Rohm

Описание

МОП-транзистор Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK);LPTS

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 8 A
Pd - рассеивание мощности 195 W
Qg - заряд затвора 38 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.03 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 35 ns
Время спада 30 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Квалификация AEC-Q101
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 2 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 90 ns
Типичное время задержки при включении 30 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок TO-263-3
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.79Ом
Power Dissipation 195Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 800В
Непрерывный Ток Стока
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 195Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.79Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора TO-263S

Техническая документация

Datasheet R8008ANJFRGTL
pdf, 1600 КБ
Datasheet R8008ANJFRGTL
pdf, 1649 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.