R8008ANJFRGTL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1000 шт., срок 7-9 недель
1 530 руб.
от 10 шт. —
1 140 руб.
от 100 шт. —
832 руб.
от 500 шт. —
688.36 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 530 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK);LPTS
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
Pd - рассеивание мощности | 195 W |
Qg - заряд затвора | 38 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.03 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 35 ns |
Время спада | 30 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 90 ns |
Типичное время задержки при включении | 30 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.79Ом |
Power Dissipation | 195Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
Непрерывный Ток Стока | 8А |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Рассеиваемая Мощность | 195Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.79Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263S |
Техническая документация
Datasheet R8008ANJFRGTL
pdf, 1600 КБ
Datasheet R8008ANJFRGTL
pdf, 1649 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.