EPC8002
52702 шт., срок 6-8 недель
720 руб.
от 10 шт. —
560 руб.
от 100 шт. —
420 руб.
от 500 шт. —
357.68 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 720 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8007529959
Описание
GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2A(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 65V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21pF @ 32.5V |
| Manufacturer | EPC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | Die |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
| Series | eGaNВ® |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | GaNFET(Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
