STH275N8F7-2AG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1485 шт., срок 7-9 недель
1 760 руб.
от 10 шт. —
1 320 руб.
от 100 шт. —
963 руб.
от 500 шт. —
796.65 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 760 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Стандартные продукты
Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 42 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 180 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | H2PAK-2 |
| Pd - Power Dissipation: | 315 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 193 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.7 mOhms |
| Rise Time: | 180 ns |
| Series: | STH275N8F7-2AG |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 98 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 56 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Техническая документация
Datasheet STH275N8F7-6AG
pdf, 719 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
