RD3G600GNTL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2451 шт., срок 7-9 недель
590 руб.
от 10 шт. —
450 руб.
от 100 шт. —
330 руб.
от 500 шт. —
261.03 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 590 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Решения для электронных транспортных средств
Решения ROHM для полупроводниковых электронных транспортных средств (электромобилей) разработаны для повышения эффективности и производительности современных электронных транспортных средств. ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различных решений, с акцентом на специальные блоки электромобилей, такие как главный инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, бортовое зарядное устройство и электрический компрессор.
Решения ROHM для полупроводниковых электронных транспортных средств (электромобилей) разработаны для повышения эффективности и производительности современных электронных транспортных средств. ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различных решений, с акцентом на специальные блоки электромобилей, такие как главный инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, бортовое зарядное устройство и электрический компрессор.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Part # Aliases: | RD3G600GN |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 46.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.6 mOhms |
| Rise Time: | 11 ns |
| Series: | RD3G |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 60(A) |
| Drain-Source On-Volt | 40(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | DPAK |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 40(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2730 КБ
Документация
pdf, 1539 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
