RD3G500GNTL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2470 шт., срок 7-9 недель
490 руб.
от 10 шт. —
370 руб.
от 100 шт. —
277 руб.
от 500 шт. —
218.93 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 490 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
RD3G500GN is the low on - resistance MOSFET for switching application. Low on - resistance High power package (TO-252)
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 6.3 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 35 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | RD3G500GN |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Width | 6.4mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
