RN4907FE,LF(CT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3980 шт., срок 7-9 недель
85 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 255 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V, 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V, 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA, 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Серия | RN4907 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.213 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-563 |
Техническая документация
Datasheet RN4907FE.LF(CT
pdf, 274 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
