RQ3E100GNTB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2997 шт., срок 7-9 недель
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
120 руб.
от 100 шт. —
74 руб.
от 500 шт. —
53.71 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Qg - заряд затвора | 7.9 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11.7 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 4.3 ns |
Время спада | 3.1 ns |
Другие названия товара № | RQ3E100GN |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 22.4 ns |
Типичное время задержки при включении | 8.4 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | HSMT-8 |
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 10(A) |
Drain-Source On-Volt | 30(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | HSMT EP |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 8 |
Polarity | N |
Power Dissipation | 2(W) |
Rad Hardened | No |
Type | Power MOSFET |
Техническая документация
Datasheet RQ3E100GNTB
pdf, 1464 КБ
Документация
pdf, 1488 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.