RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2997 шт., срок 7-9 недель
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.120 руб.
от 100 шт.74 руб.
от 500 шт.53.71 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8007569020
Бренд: Rohm

Описание

МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 10 A
Pd - рассеивание мощности 2 W
Qg - заряд затвора 7.9 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 11.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 4.3 ns
Время спада 3.1 ns
Другие названия товара № RQ3E100GN
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 8 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 22.4 ns
Типичное время задержки при включении 8.4 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок HSMT-8
Channel Mode Enhancement
Continuous Drain Current 10(A)
Drain-Source On-Volt 30(V)
Gate-Source Voltage (Max) ±20(V)
Mounting Surface Mount
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Package Type HSMT EP
Packaging Tape and Reel
Pin Count 8
Polarity N
Power Dissipation 2(W)
Rad Hardened No
Type Power MOSFET

Техническая документация

Datasheet RQ3E100GNTB
pdf, 1464 КБ
Документация
pdf, 1488 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.