PSMN057-200B,118
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5044 шт., срок 6-8 недель
840 руб.
от 10 шт. —
650 руб.
от 100 шт. —
448 руб.
от 800 шт. —
352.63 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 840 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8007572165
Бренд: Nexperia B.V.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Id - Continuous Drain Current: | 39 A |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Part # Aliases: | 934056599118 |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 135 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 57 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 696 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
