SIHA11N80AE-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
610 руб.
от 50 шт. —
420 руб.
от 100 шт. —
345 руб.
от 500 шт. —
272.40 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 610 руб.
Описание
МОП-транзистор N-CHANNEL 800V TO-220FP
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
Pd - рассеивание мощности | 31 W |
Qg - заряд затвора | 42 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 391 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 15 ns |
Время спада | 27 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.9 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | E |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 25 ns |
Типичное время задержки при включении | 13 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
Техническая документация
Datasheet SIHA11N80AE-GE3
pdf, 154 КБ