SIHA11N80AE-GE3

SIHA11N80AE-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
610 руб.
от 50 шт.420 руб.
от 100 шт.345 руб.
от 500 шт.272.40 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 610 руб.
Номенклатурный номер: 8007573632

Описание

МОП-транзистор N-CHANNEL 800V TO-220FP

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 8 A
Pd - рассеивание мощности 31 W
Qg - заряд затвора 42 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 391 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 15 ns
Время спада 27 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 2.9 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия E
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 25 ns
Типичное время задержки при включении 13 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220FP-3

Техническая документация

Datasheet SIHA11N80AE-GE3
pdf, 154 КБ