BSC600N25NS3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 090 руб.
от 10 шт. —
810 руб.
от 100 шт. —
592 руб.
от 500 шт. —
489.80 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 090 руб.
Описание
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 60 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TDSON |
| Pin Count | 8 |
| Series | OptiMOS 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Width | 5.35mm |
