MRFE6VS25NR1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 960 руб.
от 10 шт. —
8 320 руб.
от 25 шт. —
7 400 руб.
от 100 шт. —
6 613.03 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 960 руб.
Описание
The MRFE6VS25NR1 is a N-channel RF Power LDMOS Transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. It is fabricated using enhanced ruggedness platform and is suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.
• High ruggedness
• Enhancement-mode lateral MOSFET
• Wide operating frequency range
• Extreme ruggedness
• Unmatched, capable of very broadband operation
• Integrated stability enhancements
• Low thermal resistance
• Extended ESD protection circuit
Технические параметры
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Корпус РЧ Транзистора | TO-270 |
| Максимальная Рабочая Температура | 225 C |
| Максимальная Рабочая Частота | 2000МГц |
| Минимальная Рабочая Частота | 1.8МГц |
| Напряжение Истока-стока Vds | 133В DC |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-270 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Datasheet MRFE6VS25NR1
pdf, 1738 КБ
