DF2S5M5SL,L3F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16966 шт., срок 7-9 недель
98 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 196 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Next-Generation ESD Protection Diodes Toshiba Next-Generation ESD Protection Diodes are used for power supply circuits in mobile devices such as smartphones and wearable devices. A choice of operating voltages (3.6V, 5.5V, 12.6V) and packages (SOD962, SL2, SOD963, CST2C, SOT553, USC, and DFN10) provides flexible options for realizing ESD protection against static electricity and noise in various designs.
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Breakdown Voltage: | 3.5 V |
Cd - Diode Capacitance: | 0.9 pF |
Clamping Voltage: | 16 V |
Factory Pack Quantity: | 10000 |
Ipp - Peak Pulse Current: | 2.5 A |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Number of Channels: | 1 Channel |
Operating Supply Voltage: | 3.3 V |
Package/Case: | SOD-962-2 |
Polarity: | Unidirectional |
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation: | 37 W |
Product Category: | ESD Suppressors/TVS Diodes |
Product Type: | ESD Suppressors |
Subcategory: | TVS Diodes/ESD Suppression Diodes |
Termination Style: | SMD/SMT |
Vesd - Voltage ESD Air Gap: | 20 kV |
Vesd - Voltage ESD Contact: | 20 kV |
Working Voltage: | 3.3 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 362 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.