CMUT2907A TR PBFREE

CMUT2907A TR PBFREE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
51080 шт., срок 6-8 недель
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.99 руб.
от 100 шт.55 руб.
от 500 шт.47.30 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 260 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8007629150

Описание

60V 250mW 100@150mA,10V 600mA PNP SOT-523 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 500mA
Collector cut-off current (Icbo@Vcb) 100nA
Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1.5V@100uA, 100mA
Collector-emitter voltage (Vceo) 20V
DC current gain (hFE@Vce,Ic) 10000@100mA, 5V
Operating Temperature -65℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 625mW
Transistor Type PNP
Transition frequency (fT) 125MHz
Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.6 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 600 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min: 50
DC Current Gain hFE Max: 300
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 600 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: SOT-523
Pd - Power Dissipation: 250 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1446 КБ
Datasheet
pdf, 411 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.