IXBK75N170, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 75А, 1,04кВт, TO264
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 560 руб.
от 3 шт. —
15 850 руб.
от 10 шт. —
13 560 руб.
от 25 шт. —
12 377.77 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 560 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO264 |
| Collector current | 75A |
| Collector-emitter voltage | 1.7kV |
| Features of semiconductor devices | high voltage |
| Gate charge | 0.35µC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 1.04kW |
| Pulsed collector current | 580A |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Turn-off time | 840ns |
| Turn-on time | 277ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 177 КБ
