1N5408G, Диод: импульсный, THT, 1кВ, 3А, Ifsm: 200А, DO27, Ufmax: 1В, Ir: 50мкА
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
от 3 шт. —
120 руб.
от 10 шт. —
91 руб.
от 25 шт. —
71.07 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Посмотреть аналоги5
Описание
Описание Диод: импульсный, THT, 1кВ, 3А, Ifsm: 200А, DO27, Ufmax: 1В, Ir: 50мкА Характеристики
Категория | Диод |
Тип | высоковольтный |
Технические параметры
Diode Configuration | Single |
Number of Elements per Chip | 1 |
Brand | ON Semiconductor |
Package Type | DO-201AD |
Maximum Continuous Forward Current | 3A |
Mounting Type | Through Hole |
Diameter | 5.3mm |
Maximum Forward Voltage Drop | 1V |
Pin Count | 2 |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 200A |
Diode Type | Silicon Junction |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 1000V |
Diode Technology | Silicon Junction |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1200 |
Height | 5.3 mm(Max) |
If - Forward Current | 3 A |
Ir - Reverse Current | 10 uA |
Length | 9.5 mm(Max) |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Max Surge Current | 200 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | DO-201AD |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | - |
Product | Rectifiers |
Product Category | Rectifiers |
Recovery Time | - |
RoHS | Details |
Series | 1N5408 |
Termination Style | Through Hole |
Type | Standard Recovery Rectifiers |
Unit Weight | 0.038801 oz |
Vf - Forward Voltage | 1 V |
Vr - Reverse Voltage | 1000 V |
Width | 5.3 mm(Max) |
Вес, г | 1.13 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 115 КБ
Datasheet
pdf, 1013 КБ
Документация
pdf, 156 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды быстродействующие»
Типы корпусов импортных диодов