FDMS4D5N08LC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
870 руб.
от 10 шт. —
660 руб.
от 100 шт. —
462 руб.
от 500 шт. —
363.41 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 870 руб.
Описание
This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Maximum Continuous Drain Current | 116 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.5 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 113.6 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PQFN8 |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Width | 5mm |
Техническая документация
Datasheet FDMS4D5N08LC
pdf, 272 КБ
