FDMC610P

FDMC610P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
690 руб.
от 10 шт.530 руб.
от 100 шт.390 руб.
от 500 шт.286.85 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 690 руб.
Номенклатурный номер: 8008459356

Описание

МОП-транзистор P-CH PowerTrench МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 80 A
Pd - рассеивание мощности 2.4 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 12 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 37 ns
Время спада 87 ns
Высота 0.8 mm
Длина 3.3 mm
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PowerTrench
Конфигурация Single Quad Drain Triple Source
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 16 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия FDMC610P
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 193 ns
Типичное время задержки при включении 24 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок Power-33-8
Ширина 3.3 mm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 80A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Feature -
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 99nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 6V
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Packaging Cut Tape(CT)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.4W(Ta), 48W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9 mOhm @ 22A, 4.5V
Series PowerTrenchВ®
Supplier Device Package Power33
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250ВµA
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet FDMC610P
pdf, 402 КБ
Документация
pdf, 404 КБ