FDMS86300DC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
930 руб.
от 10 шт. —
710 руб.
от 100 шт. —
494 руб.
от 500 шт. —
389.12 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 930 руб.
Описание
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 76 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PQFN8 |
| Pin Count | 8 |
| Series | PowerTrench |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Width | 5.85mm |
