2SK879-GR(TE85L,F)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10670 шт., срок 7-9 недель
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 260 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
JFET Junction FET N-Ch 0,3 - 6,5 мА 10 мА
Технические параметры
Brand | Toshiba |
Configuration | Single |
Drain-Source Current at Vgs=0 | 2.6 mA |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gate-Source Cutoff Voltage | -5 V |
Id - Continuous Drain Current | 6.5 mA |
Manufacturer | Toshiba |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SC-70-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 100 mW |
Product Category | JFET |
RoHS | Details |
Series | 2SK879 |
Transistor Polarity | N-Channel |
Unit Weight | 0.000219 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 10 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | -30 V |
Brand: | Toshiba |
Configuration: | Single |
Drain-Source Current at Vgs=0: | 2.6 mA |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gate-Source Cut-off Voltage: | -5 V |
Id - Continuous Drain Current: | 6.5 mA |
Manufacturer: | Toshiba |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | SC-70-3 |
Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
Product Category: | JFET |
Product Type: | JFETs |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Type: | JFET |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 10 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -30 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 288 КБ
Документация
pdf, 291 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.