BSO613SPVGXUMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
350 руб.
от 10 шт. —
260 руб.
от 100 шт. —
187 руб.
от 500 шт. —
148.20 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 350 руб.
Описание
The Infineon P-channel enhancement mode field-effect transistor is highly innovative OptiMOS families include p-channel power MOSFETs.
Технические параметры
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.44 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Mounting Type | SMD |
| Package Type | PG-SO 8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 224 КБ
