SUM70030M-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 060 руб.
от 10 шт. —
820 руб.
от 100 шт. —
577 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 060 руб.
Описание
The Vishay N-Channel 100-V (D-S) MOSFET. 100 % Rg and UIS tested
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 150 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.0035 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 7 |
Series | TrenchFET |
Transistor Material | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 212 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов