SUM70030M-GE3

SUM70030M-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 060 руб.
от 10 шт.820 руб.
от 100 шт.577 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 060 руб.
Номенклатурный номер: 8008680632

Описание

The Vishay N-Channel 100-V (D-S) MOSFET. 100 % Rg and UIS tested

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 150 A
Maximum Drain Source Resistance 0.0035 Ω
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type D2PAK(TO-263)
Pin Count 7
Series TrenchFET
Transistor Material Si

Техническая документация

Datasheet
pdf, 212 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов