FDD2670

FDD2670
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
560 руб.
от 10 шт.430 руб.
от 100 шт.316 руб.
от 500 шт.249.92 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 560 руб.
Номенклатурный номер: 8008818014

Описание

МОП-транзистор N-CH 200V 18A Q-FET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 3.6 A
Pd - рассеивание мощности 3.2 W
Qg - заряд затвора 43 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 130 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 8 ns
Время спада 25 ns
Высота 2.39 mm
Длина 6.73 mm
Другие названия товара № FDD2670_NL
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PowerTrench
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 15 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Серия FDD2670
Технология Si
Тип MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 30 ns
Типичное время задержки при включении 13 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок TO-252-3
Ширина 6.22 mm
Channel Mode Enhancement
Continuous Drain Current 3.6(A)
Drain-Source On-Volt 200(V)
Gate-Source Voltage (Max) '±20(V)
Mounting Surface Mount
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Package Type DPAK
Packaging Tape and Reel
Pin Count 2+Tab
Polarity N
Power Dissipation 3.2(W)
Rad Hardened No
Type Power MOSFET

Техническая документация

Datasheet FDD2670
pdf, 381 КБ
Документация
pdf, 436 КБ