IRL1404STRLPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
890 руб.
от 10 шт. —
680 руб.
от 100 шт. —
483 руб.
от 800 шт. —
399.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 890 руб.
Описание
IRL1404STRLPBF, SP001557954
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.004Ом |
Power Dissipation | 200Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | HEXFET |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
Непрерывный Ток Стока | 160А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 200Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.004Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Maximum Continuous Drain Current | 160 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.004 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Series | HEXFET |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 648 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов