IXA45IF1200HB, IGBT Transistors N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 400 руб.
от 10 шт. —
2 780 руб.
от 30 шт. —
2 070 руб.
от 120 шт. —
1 806.40 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 400 руб.
Описание
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 78 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +125 °C |
Maximum Power Dissipation | 325 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 3 |