2SC4213-B(TE85L.F)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
82 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Bipolar Transistors - BJT NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans
Технические параметры
| Brand | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.042 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 300 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 |
| DC Current Gain hFE Max | 1200 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 25 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 30 MHz |
| Manufacturer | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current | 300 mA |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-323-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 100 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | 2SC4213 |
| Transistor Polarity | NPN |
| Unit Weight | 0.000176 oz |
| Collector Emitter Voltage Max | 20В |
| DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
| Power Dissipation | 100мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Частота Перехода ft | 30МГц |
Техническая документация
Документация
pdf, 275 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
