IXA45IF1200HB, IXA45IF1200HB IGBT, 78 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 740 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 740 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 78 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 325 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 3 |
