Fairchild ISL9V3040P3 IGBT, 21 A 450 V, 3-Pin TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 320 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 6 600 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 450 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 21 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±14V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
