STWA75N65DM6, MOSFET N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
589 шт., срок 7-9 недель
3 880 руб.
от 10 шт. —
3 250 руб.
от 25 шт. —
2 960 руб.
от 50 шт. —
2 789.04 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 880 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series, Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 37 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247-4 |
| Pin Count | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 248 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
