IXGH48N60B3, IXGH48N60B3 IGBT, 280 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 740 руб.
Кратность заказа 60 шт.
Добавить в корзину 60 шт.
на сумму 164 400 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 280 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 40kHz |
| Transistor Configuration | Single |
