W29N04GVBIAF, SLC NAND 4Gbit Parallel Flash Memory 63-Pin VFBGA, W29N04GVBIAF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
37 шт., срок 7 недель
2 360 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 360 руб.
Описание
Semiconductors\Memory Chips\Flash Memory
Density: 4Gbit (Single chip solution) Vcc: 2.7V to 3.6V Bus width: x8 Operating temperature Industrial: -40°C to 85°C
Технические параметры
| Cell Type | SLC NAND |
| Interface Type | Parallel |
| Maximum Operating Supply Voltage | 3.6 V |
| Maximum Operating Temperature | +85 °C |
| Maximum Random Access Time | 25µs |
| Memory Size | 4Gbit |
| Minimum Operating Supply Voltage | 2.7 V |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Bits per Word | 8bit |
| Number of Words | 512M |
| Organisation | 512M x 8 bit |
| Package Type | VFBGA |
| Pin Count | 63 |
| Series | W29N |
| Width | 9.1mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2675 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
