IAUA200N04S5N010AUMA1, N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V, 5-Pin HSOF-5 IAUA200N04S5N010AUMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
350 руб.
Кратность заказа 2000 шт.
Добавить в корзину 2000 шт.
на сумму 700 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Infineon OptiMOS™-5 series N-channel power MOSFET. It is used for automotive applications. N-channel - Enhancement mode - Normal Level
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.001 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | HSOF-5 |
| Pin Count | 5 |
| Series | IAUA2 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 671 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
