8550M-C, 100nA 25V 625mW 120@100mA,1V 1.5A 200MHz 280mV@800mA,80mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
2750 шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
25V 625mW 120@100mA,1V 1.5A PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 1.5A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 280mV@800mA, 80mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 1V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 625mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 200MHz |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet 8550M-C
pdf, 766 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.