8550M-C, 100nA 25V 625mW 120@100mA,1V 1.5A 200MHz 280mV@800mA,80mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

2750 шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.4 руб.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015755072
Артикул: 8550M-C

Описание

25V 625mW 120@100mA,1V 1.5A PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 1.5A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 25V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 280mV@800mA, 80mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 120@100mA, 1V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 625mW
Transistor Type PNP
Transition Frequency (fT) 200MHz
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet 8550M-C
pdf, 766 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.