L8050HRLT1G, 150nA 25V 300mW 1.5A 500mV@800mA,80mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-23(SOT-23-3) Bipolar Transistors - BJT

3700 шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.4 руб.
от 3000 шт.2.80 руб.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015756507
Артикул: L8050HRLT1G
Бренд: Leshan Radio Co

Описание

25V 300mW 1.5A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 1.5A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 150nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 25V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@800mA, 80mA
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 300mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) -
Collector-Emitter Breakdown Voltage 25V
Maximum DC Collector Current 1.5A
Pd - Power Dissipation 300mW
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet L8050HRLT1G
pdf, 84 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.