LMBT4401LT1G, 40V 225mW 100@10mA,1V 600mA 250MHz 750mV@500mA,50mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
205650 шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
3 руб.
от 3000 шт. —
2.30 руб.
от 6000 шт. —
2.05 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
40V 225mW 100@10mA,1V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 750mV@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 225mW |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet LMBT4401LT1G
pdf, 586 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
