BRF4N65, 650V 4A 33W 2.7-@10V,2A 4V@250uA N Channel TO-220F MOSFETs
1400 шт., срок 7 недель
96 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
62 руб.
от 150 шт. —
55 руб.
от 500 шт. —
46.30 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
650V 4A 33W 2.7Ω@10V,2A 4V@250uA N Channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.7Ω@10V, 2A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 33W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet BRF4N65
pdf, 809 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
