2SD1005, 100nA 80V 1.3W 25@500mA,2V 1A 130MHz 500mV@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
210 шт., срок 6 недель
23 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
14 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 230 руб.
Описание
80V 1.3W 25@500mA,2V 1A NPN SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 1A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@500mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@100mA, 2V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 500mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 160MHz |
Вес, г | 0.14 |
Техническая документация
Datasheet 2SD1005
pdf, 632 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.