BC849C, 100nA 45V 200mW 200@1mA,5V 100mA 150MHz 300mV@100mA,5mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1800 шт., срок 6 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 300 руб.
Описание
30V 225mW 420@2mA,5V 100mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@100mA, 5mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 420@2mA, 5V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 330mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 343 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.