2SD1000K, 100nA 25V 625mW 120@800mA,1V 800mA 100MHz 500mV@800mA,80mA NPN +150-@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT
5430 шт., срок 6 недель
18 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
11 руб.
от 300 шт. —
8.90 руб.
от 1000 шт. —
6.78 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
25V 625mW 120@800mA,1V 800mA NPN SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 800mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@800mA, 1V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 625mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Вес, г | 0.14 |
Техническая документация
Datasheet 2SD1000K
pdf, 282 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.