LBSS84WT1G, 50V 130mA 5-@10V,100mA 225mW 2V@250uA P Channel SC-70 MOSFETs

1680 шт., срок 7 недель
10 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.6 руб.
от 600 шт.4.80 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 200 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015772017
Артикул: LBSS84WT1G
Бренд: Leshan Radio Co

Описание

50V 130mA 5Ω@10V,100mA 225mW 2V@250uA P Channel SC-70 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 130mA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V, 100mA
Drain Source Voltage (Vdss) 50V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2V@250uA
Power Dissipation (Pd) 225mW
Type P Channel
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 130mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 225mW
Rds On - Drain-Source Resistance 5О© @ 100mA,10V
Transistor Polarity P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 50V
Vgs - Gate-Source Voltage 2V @ 250uA
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet LBSS84WT1G
pdf, 611 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.