LN2312LT1G, 20V 4.9A 750mW 41m-@4.5V,5A 1V@250uA N Channel SOT-23E MOSFETs
420 шт., срок 7 недель
13 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
9 руб.
от 300 шт. —
8.10 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 130 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
20V 4.9A 750mW 41mΩ@4.5V,5A N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4.9A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 41mΩ@4.5V, 5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Power Dissipation (Pd) | 750mW |
| Type | N Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 4.9A |
| Manufacturer | Leshan Radio |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 750mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 41mΩ 5A, 4.5V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V 250uA |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet LN2312LT1G
pdf, 690 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
