LH8050QLT1G, 100nA 50V 225mW 1.5A 500mV@800mA,80mA NPN -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
44650 шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
от 3000 шт. —
2.60 руб.
от 6000 шт. —
2.27 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 300 руб.
Описание
50V 225mW 1.5A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 1.5A |
| Pd - Power Dissipation | 225mW |
| Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Datasheet LH8050QLT1G
pdf, 211 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
