8550M-D, 100nA 25V 625mW 160@100mA,1V 1.5A 200MHz 280mV@800mA,80mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
51650 шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
3 руб.
от 3000 шт. —
2.50 руб.
от 6000 шт. —
2.19 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
25V 625mW 160@100mA,1V 1.5A PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 800mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 280mV@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@100mA, 1V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 450mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 200MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 25V |
| Manufacturer | Foshan Blue Rocket Elec |
| Maximum DC Collector Current | 1.5A |
| Package / Case | SOT-23 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Pd - Power Dissipation | 625mW |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 610 КБ
Datasheet 8550M-C
pdf, 766 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
