L2SA812RLT1G, 100nA 50V 200mW 150mA 180MHz 180mV@100mA,10mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3L BIpolar TransIstors - BJT
1000 шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
50V 200mW 150mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 180mV@100mA, 10mA |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 180MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 150mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet L2SA812RLT1G
pdf, 193 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
